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本征半导体

共价键

载流子
- 本征激发  温度
- 复合  浓度
- 自由电子空穴对

杂质半导体

掺入少量杂志

N型半导体
- 参入磷(5价)

P型半导体
- 参入硼(3价)

与多子相关的性质受温度影响小

空间电荷区：PN结 耗尽层 阻挡层
- 多子扩散，少子漂移
- 对称结，不对称结
- 单向导电

反向击穿
- 雪崩击穿 粒子加速 pn结足够宽度 温度越高所需电压越高
- 齐纳击穿 参杂浓度高 PN结窄 温度越高击穿电压越低

势垒电容
扩散电容 非平衡少子与电压的关系


二极管

主要参数
- $I_{f}$
- $U_{R}$
- $I_{R}$
- $f_{M}$



温度的影响
- 温度升高 正向曲线左移 反向下移
- 室温 上升1℃ 正向压降下降2--2.5mv，温度上升10℃ 反向电流增大一倍


等效电路
- 对外特性
- 物理模型

模电

![樱岛麻衣.png](https://huacy.fun/static/img/bcba20102f0b3e09cd3aeb50df873f3c.%C3%A3%C2%80%C2%90%C3%A5%C2%93%C2%B2%C3%A9%C2%A3%C2%8E%C3%A5%C2%A3%C2%81%C3%A7%C2%BA%C2%B8%C3%A3%C2%80%C2%91%C3%A6%C2%8F%C2%92%C3%A7%C2%94%C2%BB-%C3%A6%C2%A8%C2%B1%C3%A5%C2%B2%C2%9B%C3%A9%C2%BA%C2%BB%C3%A8%C2%A1%C2%A3.webp)