本征半导体

共价键

载流子

• 本征激发 温度
• 复合 浓度
• 自由电子空穴对

杂质半导体

掺入少量杂志

N型半导体

• 参入磷(5价)

P型半导体

• 参入硼(3价)

与多子相关的性质受温度影响小

空间电荷区：PN结 耗尽层 阻挡层

• 多子扩散，少子漂移
• 对称结，不对称结
• 单向导电

反向击穿

• 雪崩击穿 粒子加速 pn结足够宽度 温度越高所需电压越高
• 齐纳击穿 参杂浓度高 PN结窄 温度越高击穿电压越低

势垒电容 扩散电容 非平衡少子与电压的关系

二极管

主要参数

• $I_{f}$
• $U_{R}$
• $I_{R}$
• $f_{M}$

温度的影响

• 温度升高 正向曲线左移 反向下移
• 室温 上升1℃ 正向压降下降2--2.5mv，温度上升10℃ 反向电流增大一倍

等效电路

• 对外特性
• 物理模型